SIC MOSFET管出现发热情况的一个直接原因可能跟电路设计有关联，设计上应该是让SIC MOSFET管的工作状态为在线性，而不是让碳化硅二极管保持在开关电路状态。另一个导致碳化硅MOS管发热的原因则可能是用N-MOS做开关，而mos的G级电压会高出电源几V才能够实现完全导通，P-MOS则相反。
MOS管的设计使用频率超过了参数限制，在设计时过于追求产品的体积，导致MOS的工作频率大大提高，这增大了MOS管的损耗，所以也会造成发热的现象。
设计时没有考虑足够的散热问题，mos管在工作时电流都会比平常高，所以都会需要更好的散热性能才能达到MOS管标称的电流值发热情况。或者对mos管的选型有误，误判了mos管的功率，内阻过小导致开关阻抗增大。
MOS管的设计使用频率超过了参数限制，在设计时过于追求产品的体积，导致MOS的工作频率大大提高，这增大了MOS管的损耗，所以也会造成发热的现象。
设计时没有考虑足够的散热问题，mos管在工作时电流都会比平常高，所以都会需要更好的散热性能才能达到MOS管标称的电流值发热情况。或者对mos管的选型有误，误判了mos管的功率，内阻过小导致开关阻抗增大。
微信二维码
